IoT時代に最適な半導体製造装置を独自の技術で提供致します。
プロセスに応じたソリューションを提供し、お客様の求めるニーズに対応致します。

We provide semiconductor manufacturing equipment optimal for the IoT era with our original technology.
We provide solutions according to the process to meet the needs of our customers.

TOPICS

成膜受託加工 追加しました

低温SiO2 Data (ゲート絶縁、ハードマスク)

超厚膜SiO2 Data (チップレット、3DIC

 

PEGASUS

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PEGASUSは、メモリ、パワーデバイス、パッケージ、MEMS市場において高品位の成膜プロセスを提供します。

PEGASUS provides high-quality film deposition processes for the memory, power device, packaging, and MEMS markets.

PEGASUS Plat Form

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PEGASUS Plat Formは、省スペース設計され柔軟なアーキテクチャによりプラズマCVD、RTA、Ashing、Etching のProcess chamberが統合可能なシステムです。

PEGASUS Plat Form is a system that can integrate plasma CVD, RTA, Ashing, and Etching process chambers with a space-saving design and flexible architecture.

PEGASUS HDP-CVD

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PEGASUS HDP-CVDは、ICPの高密度プラズマの高いガス分解効率で、低温成膜と緻密な膜を作り上げます。
2タイプのHDP-CVDは、BタイプとHタイプが有り、低温成膜と高速処理に使い分けています。低温成膜のSiO2は,熱酸化膜と同レベルの耐電圧(10MV)の膜も出来ます。

PEGASUS HDP-CVD uses the high gas decomposition efficiency of ICP high-density plasma to form low-temperature films and create dense films.
There are two types of HDP-CVD, type B and type H, which are used for low-temperature film formation and high-speed processing.
Low-temperature SiO2 film formation can also produce films with withstand voltage (10MV) on the same level as thermal oxide films.

PEGASUS RTA

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PEGASUS RTAは、φ300mmSiに対応した基板回転タイプのアニール装置です。
高純度石英チューブの赤外線ランプヒーターは、透過率が高くクリーン加熱に適し、リフレクターの設計と反射膜で照射効率に優れたヒータ-ユニットです。

PEGASUS RTA is a substrate rotation type annealing equipment for φ300mmSi.
The high-purity quartz tube infrared lamp heater is suitable for clean heating due to its high transmittance.

SATERA

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Satera(常温接合装置)は、独自のプラズマ表面活性化技術と高位置精度の組み合わせで、メモリの3次元積層、CMOSイメージセンサ向けに対応した装置です。

Satera (room-temperature bonding equipment) combines unique plasma surface activation technology and high positional accuracy to support three-dimensional stacking of memory and CMOS image sensors.

MERCURY

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PEGASUS 1500は、G4.5又はφ6インチ(25枚)基板の搭載が可能な大型バッチ処理装置です。数10μmの厚膜処理は、枚葉式では効率が良くないですが、本装置は一度に大量に処理できるため処理時間が少なく済みます。
ICPの高密度プラズマを採用し低温で処理が出来る為、熱による時間ロスや電力消費が少なく済みます。

PEGASUS 1500 is a large batch processing device that can mount G4.5 or φ6 inch (25 sheets) boards.
Thick film processing of several tens of 10μm is not efficient with the single-wafer type, but since this device can process a large amount, the processing time required for one sheet can be reduced.
Since ICP high-density plasma is used and processing can be performed at low temperature, time loss and power consumption due to heat can be reduced.

COMPONENT

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コンポーネンツ

真空装置で使用するプラズマ源、ビューポート等の製品

セラミック加工

AlN、Si3N4等の加工基板及びSiO2のコーティング製品

Equipment specifications

Wafer
Size (mm)
UseProcessProcess
temp (℃)
ReactorSubstrate
PEGASUS HDP-CVD300、200、150Logic、Pawer-MOSOxide, Nitride~200Plasma/ThermalSi
PEGASUS ASH300、200、150Semiconductor、PackageAshing/Etching~300Plasma/ThermalSi、SiC
PEGASUS RTA300、200、150Logic、Pawer-MOSOxide,Nitride/Anneal~1,500ThermalSi、SiC
MERCURY□1000orφ6-25pcOLED、Soler、senserSiO2、SiN、SiON~50PlasmaSi、Glass、Film

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