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Process
低温成膜（HDP-CVD）
Item
Contents
Plasma Source
ICP（12.56MHz)
Stage
RF Bias（13.56MHz）、Heater
Gas
SiH
4
、O
2
、N
2
、NH
3
、CH
4
、Ar、NF
3
Wafer size
～
φ
300mｍ
Film deposition rate
～
300nm/min
