Process – Hard Mask

Hard Mask

カーボン Hard Mask

項目内容
材料C2H2、CH4
成膜温度（℃）〜400
屈折率〜1.9
絶縁性（Ωcm）5 × 1010
膜密度（g/cm³）2.0
応力（MPa）〜2000
硬度（HV）〜1000
表面粗さ（Ra：nm）0.5
基板〜ϕ 300mm

SiO2 Hard Mask

項目内容
膜種SiO2
膜厚4.9μm
膜密度2.2g/cm³
反り（ϕ8）△Bow（<10μm）
エッチレートBHF（150nm/min）